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亚单层INALGaAs量子点的分子束外延生长

2007年

基础理论

成果简介

　　本课题来源于国家自然科学基金科学部主任基金。
　　研究目的是制备出高密度和均匀性好的InAlGaAs量子点材料，为开发可应用于光纤通讯的高性能量子点器件提供保障。利用分子束外延技术，采用亚单层沉积方法，成功制备了InALGaAs量子点材料。通过优化生长条件，我们获得了室温发射波长为965nm，荧光谱半峰宽度为14 nm的高度均匀量子点材料。该材料的获得是制备高性能量子点器件的基础。...

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