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高性能金属诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术

2004年

应用技术

初期阶段

成果简介

在各种多晶硅薄膜晶体管技术中，采用金属诱导横向晶化（MILC）制备多晶硅的薄膜晶体管技术，具有高迁移率、良好的均匀性和制备设备简单的优势，在有源选址平板显示器中具有重要的应用价值，有望成为工业化技术。要想使该项技术真正成熟到实用化，关键因素是要使所制备的TFT器件，具有低的漏电电流Ioff、尽量高的开关电流比Ion/Ioff，同时要求降低阈值电压Vth与增大迁移率μEF。本项目成果的创造性...

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