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砷化镓材料缺陷图谱

2002年

应用技术

成果简介

砷化镓器件和电路对发展新一代雷达、超高速电子计算机、电子对抗、卫星通信等起重要作用。砷化镓材料质量倍受关注，砷化镓晶体中的位错引起耿氏器件电击穿，影响MESFET器件的阈值电压均匀性，并使发光器件发光下均匀和寿命缩短；晶片加工造成的晶体损伤同样影响器件性能和产品合格率。因此，研制砷化镓材料缺陷图谱对检验和提高砷化镓晶体结构完整性具有重要的指导意义。本项目采用RC-1、AB腐蚀液、熔融KOH等多种腐...

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