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富锆PZT陶瓷的低温烧结

2003年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　在富锆PZT体系由于具有很丰富的相变，在相变过程中，Ps值会在温场、应力场、电场作用下发生变化，并且由于该材料所具有的较低的介电常数、介电损耗等性能，使其具有很广泛的应用范围，比如热电换能、爆-电换能、热释电探测器以及场发射等。由于该材料在PZT相图的富锆一侧，相变丰富，烧结过程中容易开裂，并且富锆一侧的陶瓷烧结温度较高，目前所知富锆PZT体系陶瓷的烧结温度一般在1320 C以上。即使用热压方...

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