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SIT、SITH、BSIT用高阻厚层外延片

2005年 应用技术
  • 成果简介
用三氯硅烷还原的原理，用气相外延技术制备用于新型电力电子器件的3种不同结构的关键基础材料。技术指标为(片径均为φ76mm)：1、N-/N+结构：N-层浓度(3-8)×10^(13)cm^(-3)，可控制厚度100μm，满足800V 60A电力SIT和800V 30A超高频电力SIT器件研制。2、N-/N+结构：N-层浓度(3-5)×10^(13)cm^(-3)，可控制厚度100μm，N层浓度10c...
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