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φ76毫米(3in)非掺Si-GaAs单晶(片)

2005年

应用技术

成果简介

1、成果内容简介：φ76毫米(3in)非掺Si-GaAs单晶是用液封直拉法(LEC)，不另外掺入杂质，以GaAs晶体内部的缺陷(EL2)与浅受主C补偿机理，形成其半绝缘性。在高压单晶炉内，金属镓和金属砷放于PNB坩埚中，用B_2O_3覆盖，在高压高温下进行原位合成，然后拉制成单晶并制作抛光片。经过多年研究，已解决了多项关键技术，获得了高热稳定性、高均匀性、高电子迁移率和低位错φ76毫米(3in)非...

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