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用于微波单片和功率管的GaAs VPE材料

2005年

应用技术

成果简介

一、成果内容简介：采用常用规的Ga/AsCl_3/H_2氯化物气相外延的方法，在Si-GaAs单晶衬底上生长出适用于CaAsMMIC和功率MESFET的2in与3inn+/n/n-/Si-GaAs多层外延材料并具有年产2in外延片500片的供片能力。2、关键技术：(1)载离子浓度1×10^(18)cm^3，厚度0.05-0.1μm；n层载流子浓度1×10^7Ω.cm，具有年产2in外延片500片的...

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