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固体缺陷的电子结构研究

2004年

应用技术

成果简介

利用cluster方法，从第一性原理出发对固体中的缺陷进行了电子结构的计算，研究了αFe中氢和碳杂技及H-C间的相互作用，指出现有的H在αFe中占四面体间隙的观点，没有充分考虑到H进入Fe后引起的局域变化。研究了硅中孪晶型层错的电子结构，层错导致的原子位置的弛豫，所得结果和实验符合。还讨论了Ag-Si(111)表面重构等问题。对Eu:SnS、Ea:CaS、Ce:Cas及Mn:CaS体系的电子结构作...

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