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准绝缘体上的硅场效应晶体管

2003年 应用技术
  • 成果简介
该发明专利是一种准绝缘体上的硅(SOI)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的新结构及实现方法。其特征为:源漏区下方埋氧是连续的;而沟道区下方的埋氧是非连续的。采用注氧隔离技术来实现的工艺过程是:(1)在半导体衬底中注入低于最优剂量的离子;(2)在器件沟道区光刻生成掩膜;(3)在源漏区第二次注入离子,使源漏区注入的总剂量达到最优剂量;高温退火后在源漏区下方形成连续埋氧,沟道区下方形...
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