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ULSI制备中SiO_2介质表面状态的研究

2003年

应用技术

中期阶段

成果简介

ULSI制备中介质CMP机理的研究还在定性的阶段，人们还缺少有关定量方面的知识。我们通过大量实验优化了CMP工艺，系统的研究CMP工艺过程参数，提出了介质CMP化学作用模型，通过增加化学作用，提高抛光速率，加入表面活性剂加快表面质量传递，保证在凸起处和凹陷处抛光速率选择性差，保证了平整度，有效降低了表面粗糙度。通过创造物理吸附质为主的环境，控制介质表面长期处于易清洗的物理吸附状态，有效防止...

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