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氮化镓基蓝光发光二极管外延材料与器件工艺

2003年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
蓝宝石衬底上生长的GaN基发光二极管基本结构是在蓝宝石上生长一层接一层的GaN缓冲层，n型GaN、InGaN/GaN多量子阱或单量子阱、P型AlGaN或AlGaN/GaN超晶格波导层及P型GaN欧姆接触层。在之后的器件制作中，通过n型GaN窗口形成、透明电极制备、正负电极制备、减薄、划片、分片、封装等工艺步骤，将2英寸氮化镓LED材料制作成数量超过万个的发光二极管。加电后，正、负载流子分别...
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