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Φ125MMN<100>硅单晶及抛光片

2004年

应用技术

成果简介

N<100>硅单晶抛光片是制造CMOS器件的主要材料，其性能对器件的质量与成品率有着直接影响。该成果通过改变热场设置，增加热场的轴向温度梯度，使生长界面附近晶体的温度加大；通过调整生长参数，大大减低了晶体中的微缺陷密度；通过调整热处理及抛光的工艺参数，明显降低了抛光片的热氧化层错密度；从而提高了Φ125mmN<100> 硅抛光片的质量，整套工艺稳定可靠，产品参数指标达到了WAEKER90年代产品的...

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