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GaN基半导体激子动力学研究

2003年

基础理论

成果简介

GaN基半导体材料是制作短波长光电子器件和高速、高温、高功率微电子器件的理想材料。
九十年代中期，随着材料生长技术的突破和器件工艺水平的提高，GaN基半导体材料作为第三代半导体引起了国际上的普遍关注，GaN基发光二极管很快商品化，GaN基激光器也已研制成功。同时，研究GaN基半导体材料的物理性能、发光机理以及确定其基本物理参数，也成为世界上的研究热点。
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