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应力缓冲衬底上异质半导体薄层转移技术的研究

2003年

基础理论

成果简介

　　为了实现在同一基底上多种异质材料与器件的集成。本基金研究了以所谓的“灵巧切割”和键合技术（Start-cutting SOI）为基础的半导体薄膜转移技术。
为了适应更大晶格失配的材料转移，采用了超薄硅顶层（Si1）/1SiO_x/Si结构，其中（Si）1曾约在10-15原子层范围以它的应变来缓冲转移层与基底之间由于晶格严重失配而产生应力。其中的SiO_x夹层以氧离子注入和退...

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