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直径100MM(Φ4IN)重掺砷硅单晶

2000年

应用技术

成果简介

性能：重掺砷硅单晶具有掺杂浓度高、电阻率低、高温下杂质扩散系数小等特点；用其作为衬底材料，制作的集成电路器件具有串联电阻小、功耗低、热稳定性好等优点。应用：该产品是制作大规模集成电路开关电源中的肖特基二极管、彩电中的变容二极管桥路、CMOS电路、微波功率器件及产析型场控型高频电力电子器件的硅外延衬底材料。主要技术指标：硅单晶直径100mm±0.4mm；晶向〈111〉；型号为n型；掺杂剂为掺砷(As...

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