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CR:LISAF激光晶体实用化和应用研究

2001年

应用技术

成果简介

该项目探索出密闭软坩埚下降法Cr:LiSAF晶体生长技术，生长出Φ10×120mm及Φ20×80mmCr:LiSAF晶体，实现了高掺杂浓度，铬离子含量分别达到1-15mol％，优质晶体透明、无气泡、无裂纹及包裹体等宏观缺陷，无散射颗粒，光学质量优异。采用固体氟化剂为基础的低温氟化原料处理技术有创新性，全封闭软坩埚下降法晶体生长体系在保证晶体生长质量和掺杂均匀性方面优于国内外其他先进技术，生长的晶体...

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