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Ⅲ-Ⅴ族(含氮化物)合金半导体热动力学计算机辅助分析

2001年

应用技术

成果简介

该项目以Ⅲ－Ⅴ族合金化合物半导体外延生长工艺设计为应用背景，建立了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等体系的Ⅲ－Ⅴ族合金化合物半导体热力学数据库，并示例对(Al,Ga,In)(P,As,Sb)半导体的典型子系进行了金属有机物气相外延(MOVPE)工艺的热力学分析。同时，在热力学分析计算的基础上，发展了非平衡过程的分析研究方法。为了使材料设计研究更好地与制备工作相结合，并力争前者能为后者...

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