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大面积高可靠性铁电薄膜的MOCVD和PLD制备及铁电累加计数器研制

2001年

应用技术

成果简介

该项目设计建立了国内领先的铁电、介电薄膜大面积MOCVD生长装置；解决了铁电薄膜大面积制膜技术；制备了Bi_4Ti_3O_(12)、PZT、SBT等铁电薄膜和Bi_2Ti_2O_7、MgO、Mg_2TiO_4等介电薄膜，技术指标与国际水平相当；解决了铁电/半导体集成工艺中的关键技术，研制出国内领先的铁电场效应器件和4×8位铁电存贮器；建立了自主的知识产权(4项专利)。有关铁电薄膜和器件的基础研究和...

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