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808NM大功率半导体激光器阵列

2001年

应用技术

成果简介

掌握了808nm半导体激光器材料MOCVD外延生长、阵列芯片工艺制作、陈列条(bar)烧结等关键技术，激光器1cm单bar在200ms脉宽、10-20Hz重复频率下，准连续输出功率80W。具备年产大于1000支bar的生产能力。掌握了二维阵列激光器阵列组装技术，设计了多种结构形式，形成了准连续输出功率300-750W系列产品，寿命达5×10^(-7)个脉冲以上。具备年产大于100只各类器件的小批量...

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