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高占空比nc-Ge/Si MQWD阵列的自组织生长与物理特性研究

2005年

应用技术

初期阶段

成果简介

Si和Ge是两种重要的半导体材料，它们的吸收边分别在0.8um和1.6um，然而由于二者均属间接带隙材料，带边吸收系数不大。虽1.3－1.5um响应的Ge PIN和APD探测器已有产品大量应用和销售，但成熟的低噪声、高速率接收机电路又只能用Si材料实现，如何将两者异质兼容在同一基片上是重要的研究课题。Si和Ge晶格失配达4.2%，在一定条件下的Ge/Si系材料异质外延生长时，将由最初的二维...

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