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深亚微米MOS器件可靠性预测系统

2003年

应用技术

成果简介

随着大规模集成电路集成度的不断提高，MOS器件的尺寸已经小到微米和亚微米的量级。按等比例缩小原则，栅SiO_2的厚度已经减小到2-10nm。当今的集成电路工艺制备出低可动离子及低原生陷阱密度的高质量SiO_2薄膜已不十分困难。但是，在小尺寸器件的应用过程中，由于高电场的作用，薄栅SiO_2体内以及Si/SiO_2界面产生新生陷阱电荷，导致器件性能的改变，从而严重影响了MOS集成电路的可靠性。这些新...

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