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1cm^2效率为12%CIGS太阳能薄膜电池与技术

2004年

应用技术

中期阶段

成果简介

铜铟镓硒（CIGS）太阳能薄膜电池是以普通钠钙玻璃为衬底，磁控溅射法沉积1mm厚的Mo层作为电池底电极，用真空多源三步共蒸发工艺沉积CIGS化合物半导体薄膜，生长厚度大约2mm；第一步蒸发90% 左右的In和Ga，蒸发时间大约控制在15～20分钟，衬底温度为350℃；第二步蒸Cu的时间约25～30分钟内，衬底温度为540℃；第三步蒸发剩余10%的In和Ga，蒸发时间为5分钟，衬底温度仍保持...

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