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ALGAINP超高亮度LED外延材料

2000年

应用技术

成果简介

该成果采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长用超高亮度发光管(LED)的AlGaInP/GaAs半导体微结构材料，突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术。具体指标有材料尺寸为Φ50mm；厚度和浓度的均匀性偏差小于±8%；满足红、橙、黄光LED的器件指标；连续生长外延片三个批次，成品率不低于90%。为LED材料的产业化奠定了坚实的基础。高亮度LED具有体积小、固体化、寿命长、功耗低等优...

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