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CMOS SEED灵巧象素技术

2000年 应用技术
  • 成果简介
该成果包括SEED阵列的材料和制作工艺、与CMOS?SEED相关的CMOS集成电路研制、与CMOS?SEED相关的MCM倒装焊接技术和CMOS?SEED的封装工作研究四部分。SEED集成列阵工作波长为800nm-870nm,工作电压为8-10V,反向击穿电压大于19V,光电流响应时间小于3nS,对比度为2∶1。CMOS前置放大器集成电路带宽超过300MHz,建立了一整套包括凸点阵列制作、倒装焊和子...
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