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GESI HBT及其硅兼容工艺

2002年 应用技术
  • 成果简介
应用的领域和技术原理:GeSiHBT及其IC的应用领域非常广泛,主要包括高速、超高频、低温和低噪声电路等,并可应用于RF数字开关和处理、RF功率放大器、RF低噪声放大器、保密通讯、卫星通信和精密制导、红外焦平面阵列、数/模和模/数转换等高技术领域。GeSiHBT基本原理是利用了Ge的低禁带宽度的特点,采用GeSi应变层形成晶体管的基区,使得硅发射区与GeSi基区之间存在带隙差,形成异质结的HBT效...
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