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多层异质结GaAs/Al_XGaAs,GaAs/Si应变层及其界面的研究

1997年

应用技术

成果简介

研究了多层异质结GaAs/AlxGaAs，GaAs/Si应变层的界面，微孪晶、层错，成分和结构。在国内外首先发现起伏平滑效应，微孪晶三倍财期条纹，提出了双在子台阶模型，层错的判别法。确定了GaAs/AlxGaAs的最佳生长方向，微孪晶分布及尺寸和位错计算。在国内率先对NEA多层GaAs/AlxGaAs进行了深入系统全面的分析研究。...

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