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GESI HBT及其SI兼容工艺

2000年

应用技术

成果简介

该成果解决了GeSiHBT与硅工艺兼容的5个关键技术难点，具体包括低温工艺、刻蚀控制、界面Ⅰ层生长、多晶硅发射极、基区浅离子注入与AlTi接触技术。提出并完善了低噪声和高频器件的设计理论，开发出完整实用的GeSiHBT器件分析设计的软件系统。研究了与硅工艺兼容的5种GeSiHBT器件结构，重点采用台面结构，优化相关的工艺条件。技术指标；噪声系数在10kHz下仅为1dB的低噪声GeSiHBT、截止频...

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