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2-3微米集成电路用Φ125MM硅单晶(片)研制开发

2001年

应用技术

成果简介

该成果可得到5英寸抛光是用于线宽为2-3微米集成电路用硅片，基于该成果建立了中国第一条5英寸单晶和抛光片的完善中试生产线。单晶制备中，控制氧在降碳工艺技术取得突破；采用一定的熔硅量，化料功率和适当埚转，不仅可控制氧浓度，还可控制氧在晶体中的浓度分布，在抛光片的制备中，抛光和清洗工艺取得突破：采用无蜡抛光、粗抛等工艺，控制抛光液流量，PH值和温度，保证硅片表面无损伤层，采用离心喷淋化学清洗是该项目的...

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