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Φ125MMN<100>硅单晶及抛光片研制

1999年 应用技术
  • 成果简介
N<100>硅单晶抛光片是制造CMOS器件的主要材料，其性能对器件的质量与成吕率有着直接影响。由于硅材料本身固有特性，随着硅单晶直径不断增大，在降低晶体的微缺陷密度、精确控制氧浓度和分布、降低和消耗抛光片表面的热氧化层错密度等方面遇到了诸多困难。为了获得优质N<100>硅单晶抛光片，充分满足CMOS集成电路对硅材料的要求，该项目通过改变热场设备，增加热场的轴向温度梯度，使生长界面附近晶体的温度加大...
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