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(G)CMOS体硅铝栅七专集成电路抗辐射加固技术

2001年

应用技术

成果简介

用于“东方红三号”长寿命通讯卫星的抗辐射加固体硅铝栅(G)CMOS集成电路产品的抗γ总剂量辐射水平达到5*10^5γace(si)以上，其中1个品种达到1*10^6γace(si)以上，并通过了2个1000小时的可靠性试验。其31个品种500块(GR)CMOS集成电路已经用户验收，全部合格，抗辐照指标超过了攻关任务指标，满足了长寿命通讯卫星的使用要求。这一攻关任务的完成打破了国际封锁，为国家节省了...

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