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氧化锌薄膜生长用金属有机化合物气相淀积设备

2005年

应用技术

成果简介

本实用新型涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的MOCVD设备。MOCVD反应室由底座法兰盘、反应室侧壁、旋转轴、磁流体轴承、上法兰盘、不锈钢丝网、加热片、衬底片托盘、杂质源气路、副气路、混气室、锌源喷枪、氧源喷枪、匀气套、射频等离子发生器等部件构成。本实用新型的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。本系统采用主、副气流的双流输运气路。主气路由分别输入锌源和氧两个...

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