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氮化镓基激光器

2005年 应用技术
  • 成果简介
以GaN为基本材料的Ⅲ族氮化物是最重要的宽带隙半导体材料体系之一。它们特有的宽带隙范围，优良的光学、电学性质和优异的机械性质和化学性质使其在光电子器件，微电子器件以及特殊条件下的半导体器件等领域有着广泛的应用前景。目前限制光存储容量的主要因素是读取光源的光斑衍射极限。缩短光源波长减小光斑尺寸是下一代光存储发展的核心技术。氮化物短波长激光器可以将现有光存储技术的存储密度提高五倍以上。并将大大...
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