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亚0.1微米MOST的工程模拟与建模

2006年

基础理论

成果简介

　　该项目利用数值分析以及解析模型相结合的方法，建立了杂质扩散，离子注入的亚0.1微米MOST的解析模型。可用于普通平面MOS和CMOS集成电路的电学特性模拟，对深亚微米和超深亚微米器件与大规模集成电路设计与模拟指导意义，这些模型和算法为进一步开发MOS器件和集成电路EDA平台奠定了基础。...

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