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激光芯片材料及发光器件制作工艺研究

1998年

应用技术

成果简介

该激光芯片材料由于引入了超晶格缓冲层从而提高了激射效率，材料的主要技术指标达到了国际先进水平。其主要指标如下（100×800mm样品）：波长808±5nm，微分量子效率大于0.8MW/MA，阀值电流密度小于500A/cm^2，平均线性光功率1000mW，该指标与美国SDL公司的指标相当（美国SDL公司的微分量子效率0.5～1.25mW/mA）。
该激光芯片材料可以制作大...

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