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砷化镓材料的质量优化和相关参数的直接测量

1998年 应用技术
  • 成果简介
砷化镓单晶是高速集成电路微波器件和光电器件的重要衬底材料。其中绝缘特性主要取决于C和EL2的补偿特性。该成果从改进材料的C和EL2含量及其分布的红外吸收光谱入手，结合热处理工艺和轻掺CR两项工艺措施，达到质量优化的目的；采用显微FT－IR测量技术与小光阑限光的取样方法，实现了半导体工艺过程中实际应用的薄晶片的C和EL2的直接测量。该测量方法简单、快速、可节省大量人力、物力和材料消耗。...
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