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大庆寸优质半导体致冷材料的研制

1998年

应用技术

成果简介

本项目为黑龙江省科委计划项目（合同编号G92Z-27-62）。为了研制高性能质量的半导体致冷材料，推动我国本导体致冷技术的发展，本项目在Ф13mm高优质赝三元材料研究的基础上，使用熔炼一区熔法，通用研究晶体制备条件对材料性能和质量的影响，研制出了赝三远大尺寸优质取向晶锭。
晶锭规格有两种，直径Ф28mm，重量G=1200～1400g和Ф33mm，G=1500～2000g...

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