国家科技成果网
热门搜索:  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

国家科技成果网 首页 成果 查看内容

砷化镓ASIC电路实用设计库的建立与模拟系统

1997年 应用技术
  • 成果简介
该成果以耗尽型GAAS MESFET平面等离子注入隔离工艺为基础,建立了GAAS 600门阵列的实用单元库。它由版图库、符号库和参数库组成。其中包括SDFL或非门、或与非门等逻辑单元组成的600门门阵列母片和各种宏单元库60余种。还建立了包括器件模拟、电路模拟、模型参数提取以及后处理等一系列功能的集成模拟系统。针对砷化镓工艺,对部分模型和有关文件、程序作了修改。另外还建立了具有丰富灵活...
相关成果

标签云

相关机构

Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位:科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统