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大直径直拉硅片杂质缺陷的控制与利用

2005年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
1、研究了中子辐照在直拉硅内引入的亚稳态缺陷及其退火行为。在中子辐照直拉硅样品中的红外吸收光谱中，发现了一个位于485cm^(-1)的新红外吸收峰。并深入研究了该峰的退火行为，发现该峰的形成与硅中氧无关。
2、研究了不同中子辐照剂量对直拉硅中间隙氧含量的影响。随着辐照剂量增加，间隙氧浓度逐渐减小，当辐照剂量达到10^(19)n/cm^2时，间隙氧浓度趋于稳定。
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