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刻蚀气（四氟化碳、三氟甲烷、全氟乙烷、全氟丙烷）研制

1995年

应用技术

成果简介

　　核工业理化工程研究院承担的高纯四氢化碳（CF_4）、三氟甲烷（CHF_3）、全氟乙烷（C_2F_6）、全氟丙烷（C_3F_8）的研制，全面完成“七五”攻关合同要求。采用的工艺先进、合理，为国内首创，产品质量稳定。CF_4、CHF_3、C_2F_6、C_3F_8，是以硅作基本材料的在超大规模集成电路中用作等离子蚀刻气体。其特点无毒、不可燃，在常温下（20℃）为压缩气体（CF_4、C_2F_6）和...

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