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Ⅱ－Ⅵ族化合物原子层外延生长及短周期超晶格量子阱

1995年 应用技术
  • 成果简介
该成果提出并实现利用原子层外延法生长Ⅱ－Ⅵ族化合物超短周期超晶格为势阱材料的量子阱，避免发生形变驰豫位错。CdTe/ZnTe与CdSe/ZnSe二个体系的短周期超晶格多量子阱的萤光激子峰半峰宽优于同等组份合金量子阱材料。该研究在势垒等电子掺杂，在室温下自由激子半峰宽为33meⅤ。由于新的量子阱结构出现许多新物理现象，如界面局域模，多声子散射，超薄层的限制光学声子学等。该成果在国际上受到好评...
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