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非破坏性研究半导体材料性质与参数

1995年

应用技术

成果简介

　　该成果主要内容：
　　①　首次提出Ⅰ型和Ⅱ型超晶格量子阱光伏效应的原理和计算公式；
　　②　在国内外首次测定GexSil-X/Si和GaAs超晶格的低温光电压谱，发现了GeSi/Si应变层超晶格中激子光跃迁和反映超晶格台阶式的状态密度分布的特征峰；
　　③　首次提出并实现用等光强表面光伏法，低温下双光束表面光电压测量，红外表面光电压谱等测量少子扩散长度、光跃...

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