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基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法

2014年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明公开了一种基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管结构及制作方法，主要解决GaAs基太赫兹耿氏器件输出功率极低的问题。该二极管包括SiC衬底层、AlN成核层和GaN外延层，其中SiC衬底层为n型导通型，掺杂浓度为5×1018cm-3，以保证低阻的导电性。所述的低温AlN成核层厚度为30～50nm，以减小GaN外延层中的位错密度。所述的GaN外延层的下层是掺杂浓度为5×1018cm...

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