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铪基高k栅与高迁移率沟道材料的界面调控及性能优化

2014年 基础理论
  • 成果简介
铪基高k栅与高迁移率沟道材料的界面调控以及性能优化是当前微电子领域研究的热点和重点,获取热力学稳定的高k栅及无费米能级钉扎的MOS界面是制约新型MOS器件的发展瓶颈。本项目研究以构筑高性能MOSFET 为牵引目标,围绕新铪基栅极材料的结构稳定性、界面调控、超薄栅材料的掺杂结构设计、以及提高栅极材料的晶化温度及界面优化等关键技术和科学问题开展了系统的研究,取得了系列重要的研究结果。...
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