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中低压大电流VDMOS器件

2013年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

一、简要技术说明及主要技术性能指标
简要技术说明
该项目产品中，50N06采用外延自掺杂技术，具有导通电阻低，输出电流大特点；20N50采用第二代SPACE新工艺，平底阱结构以及浅P+结构，改善了EAS能力，降低了导通电阻，提高了元胞集成度；9N90采用JFET调整新工艺。项目产品在干氧回流工艺和高压低漏电控制方面有创新；处于国内领先水平。

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