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用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法

2010年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100)硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出SiO2，在SiO2上光刻成图形然后刻蚀掉图形下SiO2。(4)用刻蚀液对(100)硅片刻蚀，形成V型结构...
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