首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

氧化多孔硅和含纳米硅中锗的氧化硅发光

2001年 基础理论
  • 成果简介
研制出波长为340毫米的强紫外光多孔硅，是已报导的发光波长最短的多孔硅。
发现大量多孔硅样品在低温氧化后发光峰位会聚到1.7ev附近。一年后台大学者得出十分相似的结果。
人们研究的多孔硅一般都 是氧化多孔硅。Canham的主张发光来自纳米硅的量子限制模型在发光多孔硅研究初期占主导地位。我们发现它与实验之间存在严重矛盾，于1993年提出量子限制之一发光中心模型...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统