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一种超高亮度微显示器件的研究

2008年

应用技术

初期阶段

成果简介

超高亮度微显示器件成果属于显示技术领域，本成果以MEMS技术为基础，采用湿法腐蚀方法在AlGaInP发光芯片上制备LED集成阵列，解决了高深宽比隔离沟槽的制备难题，制作了小体积、低功耗和高密度像素的LED微显示器件。实际完成指标：
器件尺寸：小于1英寸；
分辨率：63条线/mm；
亮度：1280cd/m2；
颜...

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