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量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法

2008年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法，它是通过分子束外延技术在衬底上生长一个双势阱的单量子阱结构，使双势阱内势能结构为阶梯形且阶梯倾斜；再通过脉冲激光辐照技术对量子阱的不同区域进行不同时间的辐照，以改变不同区域的能带结构，从而改变其发光频率，得到一个高发光强度的不同发光频率的区域集成在一起的量子阱芯片。并且各区域在同一电压下工作，使得芯片的结构非常简单。...
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