首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实现器件之间的隔离，形成隔离沟；在高电子迁移率晶体管台面上，进行高电子迁移率晶体管的源极、漏极以及共振遂穿二极管下电极的金属欧姆接触制作，然后进行退火；在共振遂穿二极管的上表...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统