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一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
一种一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、2.4μm磷化铟空间层和有源区的下光限制层、压应变量子阱有源区、上光限制层，p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；步骤2：采用湿法腐蚀工艺刻出激光器及模斑转换器上脊形状；步骤3：然后利用自对准工艺刻出下脊形状；步骤4：生长SiO_2绝缘层，接着开出电极窗...
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